HTC One S与高通骄龙Snapdragon S3S4比较效能差异及高速双核机详测

我知道大家都在等待这篇有关于One S台湾版与欧美版的比较，所以我一刻也不敢怠慢，赶紧连络到这次协助提供One S英国版手机的mrbay网友，在6月6日中午于速食店进行两个小时的测试，非常感谢他的帮忙，在午休的时间抽空出来，义务协助提供手机，做些简单的测试。一开始先跟各位网友们说明，因为测试环境并非专业的实验室，而且只有短短的两小时，我仅能在有限的时间内，手忙脚乱的测完各项大家想要了解的数据，如仍有未尽满意之处，只能说声抱歉。

一切争议就先从下面这张表格说起吧，我把重点都圈起来了。

。

Qualcomm的第四代行动通讯处理器Snapdragon S4在去年底发表，延续ARMv7架构，相较于Snapdragon S3的Scorpion自主核心，S4采用Krait，最主要的差异就是效能高出60%、制程从40nm改为28nm。由于Snapdragon S4的时脉从1.5GHz起跳，而高时脉的关键技术在于台积电的28nm制程，可以在提高时脉的同时，却降低发热量。 One S台湾版采用的是Snaddragon S3 MSM8260(或是MSM8660)，这次借来的英国版One S则是S4 MSM8260A(或是MSM8960)，台湾版的MSM260其实与旧机Sensation XE相同，但是为新一代的版本(时脉从1.5GHz提升到1.7GHz)，网友的顾虑是Snapdragon S3时脉增加，容易发生过热的问题，可能导致机版或是电池寿命较短。

再来就是GPU的部分，Snapdragon S3采用的是Adreno 220，Snapdragon S4则是有Adreno 225、305、320，台湾版One S是Adreno 220、英国版One S是Adreno 225。依照Qualcomm的官方说法，图形效能Adreno 225较Adreno 220提升50%，对于玩游戏或是3D画面的时候可能会感觉有差异。

测试前的准备

接着就透不同的测试软体，来看看手机的效能，测试前我先跟mrbay大沟通，做好以下这些准备，尽量在条件相同下比较，以免又引起一些争议~~~

1.将手机恢复原厂设定

2.登入google帐号

3.安装Temp+CPU V2小工具用来监控CPU温度

4.手机100%充满电

黑色机是mrbay大的，渐层蓝是我借测的。

先打开背盖，黑色款里面是红色、渐层蓝里面是蓝色，我觉得有个东西值得一看...