借力群联 影驰布局3D 闪存优势详解

2016-08-12 14:16:32 来源:影驰科技 作者:未知 编辑:听风飞舞 浏览:loading

  自2007年全球首次出现 3D堆叠式结构闪存以来,东芝一直致力于优化大批量生产的研发。为更好地满足快速增长的闪存市场需求,东芝将瞄准大容量、小型化的应用领域,积极推动3D堆叠式结构闪存,2014年起东芝就已经量产15nm工艺2D NAND闪存。但在提升闪存的性能和降低成本上,15nm已经是极限。下一代存储技术开始向3D架构发展。在3D时代,闪存的架构就显得格外重要。

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  由于2D NAND闪存简单堆栈是可以作出3D NAND闪存的,但制造工艺复杂,要求很高,而东芝的BiCS闪存是Bit Cost Scaling,强调的就是随NAND规模而降低成本,号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低,也意味着成本更低。

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  此次研制成功的64层堆叠闪存,是去年48层堆叠3D 闪存的换代产品,单 Die 容量比老产品扩大了将近1.4倍,但是其单位面积却缩小了,使得整片闪存的封装尺寸也跟着一块儿“缩水”,结果就是空间占用率和制造成本随之下降。新一代BiCS闪存是64层堆栈的,核心容量256Gb(32GB),未来还会推出容量高达512Gb的产品。东芝表示64层堆栈的3D NAND闪存单位面积容量增加了40%,每片晶圆所能生产的NAND容量也变大了,成本随之降低。

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东芝 BICS 3D闪存特点

高容量

  在同样的晶片面积, 以垂直堆叠的方式, 记忆体单元 (memory cell)集成更多。

高可靠度

  闪存单元空间独立,单元内电核扰动影降低, 可靠度提升。

  高速度 – 采用一次完成编程演算法(1-Pass Program Algorithm) ,写入速度更快。

  高效节能 –通过一次完成编程演算法(1-Pass Program Algorithm)能同时多多重分页写入资料,降低闪存写入次数, 功耗更低。

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未来走势

  展望2017年, 东芝预计以低于2D的15nm闪存价格,量产64层堆栈 3D NAND,与此同时各大闪存厂商亦将会在2017年在64层闪存市场上角逐江湖。 3D NAND ,从2016年开始应用在SSD产品, 估计在2019-20年, 将会主导NANDFlash市场, SSD 与电子产品将会是主要应用产品。目前,东芝最大合作伙伴,群联针对3D闪存进行相应的调试和布局。众所周知影驰作为群联在大陆唯一合作伙伴。凭借良好的上游资源倾斜,也将加入3D 闪存 SSD的第一阵营。据其产品相关负责人介绍,影驰亦将于2017年, 推出搭载东芝 BICS 3D闪存的 SATA 与 PCIE接口SSD。

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