最近,Intel、美光、西部数据、东芝纷纷宣布了各自(或合作)在96层堆叠闪存、QLC闪存方面的进展,而作为全球第一大闪存厂商的三星电子也不甘示弱,早先已经宣布量产96层堆叠第五代V-NAND闪存,并宣布会在年内推出全球第一款32TB超大容量SSD。
三星去年刚量产64层堆叠第四代V-NAND,而最新的第五代堆叠层数增加了一半,减少了晶圆上的物理X、Y尺寸,性能和功率更高,并首次采用Toggle DDR 4.0接口,数据传输率可达1.4Gbps,比上代提升40%。
按照三星的设想,3D堆叠闪存未来能超过200层。
三星还透露,已经首发容量达1Tb(128GB)容量的3D TLC闪存颗粒,数据传输率1.2Gbps,并支持32颗堆叠封装,从而实现4TB的单颗容量。
三星未来的PM1643系列SSD就将采用这种颗粒,最大容量能做到32TB(只需八颗芯片),只需4U空间就能实现以往两个机柜的存储容量。
这种新硬盘将采用2.5寸规格、SAS接口,号称随机读取性能比上代产品提升2.5倍,面向数据中心企业市场。
东芝/西数日前宣布的96层堆叠QLC闪存可以做到单个封装芯片2.66TB的容量,八颗也能实现20TB以上的SSD。
此外,三星还将面向消费级市场推出QLC SSD,SATA接口,持续读写性能540MB/s、520MB/s,但具体型号、规格、时间未公布。
理论上,QLC SSD可以轻松做到5TB乃至是10TB的大容量,但首发肯定不会这么大,毕竟要考虑消费者的承受能力,不过照此趋势下去,256GB、512GB SSD明年就能遍地走了。
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