三星量产eMRAM存储器 读写速度比eFlash快1000倍

　　三星在昨日宣布正式量产首款商用的eMRAM（嵌入式磁随机存取存储器），采用自家28FDS（28nm FD-SOI，耗尽型绝缘层上硅）工艺制造。

　　在常用的eFlash闪存技术的瓶颈期，这种基于电荷存储方式的存储器已开始走下坡。而eMRAM作为基于电阻的存储方式在非易失性，随机访问等方面拥有比eFlash更好的表现。

　　eMRAM利用磁致电阻的变化表示二进制0或1，通过测量一个存储单元的电阻来实现读取操作。这种芯片拥有SRAM的高速读取能力和DRAM的高集成度。同时由于其特殊的存储方式，所以也拥有非常高的P/E次数。可谓未来最好的存储芯片选择。三星宣称他们基于28FDS工艺的eMRAM技术能提供更低的成本和功耗，在写入速度上也更具优势。其物理特性决定在写入数据前不需要擦除周期，写入速度比现在的eFlash快1000倍。eMRAM在工作时电压比eFlash更低，所以功耗更低。

三星展示eMRAM结构

工作原理

　　三星能将eMRAM的成本控制得较低的原因是这次他们可以轻松地与现有逻辑芯片制造工艺进行集成，仅需要在流程工艺后端添加少量的几个层即可完成制造。通过这种模块化的设计既可以享受现有制造工艺带来的低成本优势，又可以享受到新技术带来的性能提升。

　　三星宣布将在今年扩大其高密度非易失性存储器解决方案的选择范围，包括在今年推出1Gb的eMRAM的测试芯片。而在此之前，Intel也在不久前宣布他们也已做好eMRAM芯片的大批量生产的准备。随着存储器大厂逐渐开始量产eMRAM芯片，不久后我们将能够用上这种低功耗高性能的存储芯片。