三星开发出首条512GB DDR5内存 速度比DDR4快一倍

videocardz消息，三星开发出业界首个基于HKMG的DDR5内存，该内存是带宽密集型高级计算应用程序的理想选择。三星称，八层TSV结构使512GB容量的DDR5模块成为可能。HKMG材料将功耗降低了13％，速度比DDR4快一倍。

三星今天宣布，它已开发出业界首个基于High-K Metal Gate（HKMG）工艺技术的512GB DDR5内存。新型DDR5在性能方面是DDR4的两倍以上，最高可达7200MHz，能够满足超级计算机、人工智能（AI）和机器学习等要求很高的计算需求。

三星DDR5将采用HKMG技术，该技术曾在逻辑半导体中使用。随着DRAM结构的不断缩小，绝缘层变薄，漏电可能性增大。三星DDR5内存通过使用HKMG材料，可以减少漏电并拥有更强性能。这款新的内存还将减少大约13％的功耗，使其特别适用于对能源效率要求很高的数据中心。

三星DDR5利用硅穿孔（TSV）技术，堆叠了八层16Gb DRAM芯片，可提供最大512GB的容量。

三星目前已向客户提供其DDR5内存产品系列的不同变体SKU，以供客户试用。