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三星5纳米节点制造遇阻：当前V1产线良率尚不及50%

2021-07-07 15:45:50 来源：游民星空 作者：柠萌皝 编辑：柠萌皝　浏览：loading

半导体芯片的制造绝非易事，即便是三星和英特尔这种业内大佬级公司，想要在硅制造中百尺竿头更进一步也是十分艰辛。外媒消息称，三星在5纳米节点上再次陷入困境。

之前有报道称，三星正在努力争取其5纳米节点的良率，但是近日我们得知，目前三星5纳米的良率尚低于50%，这意味着，在单个硅晶片上制造的100个芯片中，只有一半是好用的，效率堪忧。

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通常情况下，一个节点要进入大批量制造（HVM），良率需要在95%左右。如果达不到这个水平，那么该节点的制造效率是十分有限的，同时利润也不高。位于华城市的制造三星5nm的V1生产线正在使用EUV工具制造新节点，虽然良率目前低于50%，但随着三星工程师对节点和运行该设施的工具进行调节，相信这种情况会逐渐改善。

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