SK海力士开用EUV设备量产1anm DRAM：效率直提25%

SK海力士宣布，本月开始量产基于1anm的8G LPDDR4移动DRAM，这是第四代10纳米（1a）制程技术。由于半导体行业对10纳米DRAM产品进行分类，以字母命名，因此1a技术是继1x、1y和1z之后的第四代。SK海力士计划从2021年下半年开始向智能手机制造商提供最新的移动DRAM产品，这是SK海力士在部分测试并证明尖端光刻技术的稳定性后，首次采用EUV设备进行量产。

SK海力士期待新技术能带来生产力的提升，并进一步提升成本竞争力。该公司预计，与之前的1z nm节点相比，1anm 技术将使相同尺寸的晶圆生产的DRAM芯片数量增加25%。SK海力士预计，随着全球DRAM需求的增加，1anm DRAM也可能有助于缓解全球市场的供需状况。

新产品可以在4266Mbps下稳定运行，是标准LPDDR4移动DRAM规范中最快的传输速率，不仅如此，新产品还能降低20%的功耗。

SK海力士计划明年初开始将其1anm技术应用在他们的DDR5产品上。