wccftech消息,三星电子官方于近日宣布,旗下采用12nm级工艺的DDR5 DRAM内存芯片已经开始量产。
新内存单颗容量16Gb(2GB),最高速度为7.2Gbps,功耗比上代降低了23%,晶圆生产率提高了20%。
三星称12nm级工艺的开发基于一种新型高K材料,可提高电池电容,使数据信号出现明显的电位差,同时在降低工作电压与降噪方面取得了新的成果。
有R18的游戏为何那么多未成年玩家 实力不详的囧图
国产抗日《抵抗者》实机演示!拿起武器抵抗侵略
燕云又被骂上热搜!服装修改后仍被称是情趣内衣
《剑星》体模圣诞节新美照:性感大雷藏不住
圣诞节最心酸评论:一条Steam退款让大量玩家共情
合法状态下纵欲过度的方法 这咪咪已经很大的囧图