英伟达黄仁勋：GAA工艺或仅带来20%性能提升 架构与软件创新更为关键

据 EE Times 报道，英伟达（Nvidia）首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）在近期 GTC 大会的一场问答环节中表示，依赖全环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）晶体管的下一代制程技术可能会为公司处理器带来大约 20% 的性能提升。然而他同时强调，对于英伟达的 GPU 而言，最主要的性能飞跃源于公司自身的架构创新以及软件层面的突破。

当被问及未来几代英伟达 GPU 架构（如预计在两代后即 2028 年推出的费曼架构）时，黄仁勋提及，如果英伟达转向采用基于 GAA 晶体管的制程技术，应能实现约 20% 的性能增长。

据现场参会的分析师 Jarred Walton 观察，黄仁勋似乎在刻意淡化制程节点更迭的重要性。他强调，随着摩尔定律的放缓，未来全新的制程技术在密度、功耗或能效方面可能仅带来 20% 左右的改进。需要指出的是，黄仁勋此番言论是在回应分析师关于英伟达是否可能采用三星代工（Samsung Foundry）的提问时作出的，并非是对未来选用何种节点的明确表态。

黄仁勋进一步指出，尽管领先制程技术带来的改进是受欢迎的 —— 他表示“我们乐于接受（We'll take it）”，但这已不再是颠覆性的变革。他暗示，随着人工智能系统规模的不断扩大，高效管理海量处理器的能力，其重要性正日益超过单个处理器的原始性能。数据中心越来越关注“每瓦性能”，因为“我们正逼近物理学的极限”。

与苹果公司作为台积电所有尖端节点的首发（alpha）客户不同，英伟达通常不会率先采用台积电最新的制程技术，而是倾向于选用经过验证的成熟工艺。例如，英伟达当前的 Ada Lovelace、Hopper 以及 Blackwell 系列 GPU（面向消费级 PC 和数据中心），就采用了台积电 4nm 级别工艺的定制版本 ——4N 和 4NP。这些节点实际上属于台积电 5nm 级别的工艺开发套件（PDK），是 5nm 技术的精炼版。

展望未来，英伟达预计于明年发布的下一代 AI GPU（代号“鲁宾” Rubin，搭配定制的 Vera CPU），预计将采用台积电的 3nm 级别制程（推测为 N3P 或类似“3NP”的定制版本）。基于此，外界普遍预期英伟达将在 2028 年推出的“费曼”GPU 上采用基于 GAA 的制程技术。

台积电自身对其首个 GAA 工艺节点 N2 的预期是，相较于其第二代 3nm 级工艺 N3E（N3P 的前代），性能提升幅度在 10% 至 15% 之间。对比来看，黄仁勋对 GAA 带来的 20% 提升预期似乎比台积电更为乐观。然而，考虑到英伟达近年来不采用（或至少多年未采用）第一代新工艺的策略，预计“费曼”GPU 更可能采用 N2 的增强版 N2P（提升性能、降低电阻并稳定供电）或甚至采用增加背面供电（backside power delivery）并承诺比 N2 提升 8%-10% 性能的 A16 工艺。N2P 和 A16 均预计在 2027 年实现量产。

因此，如果英伟达在 2028 年的产品上选择采用 N2P 或 A16 工艺，那么预期其“费曼”GPU 相比采用 N3P 工艺的“鲁宾”GPU 获得 20% 的性能增益是合理的。

尽管英伟达已是当今领先的处理器开发者之一，黄仁勋多次强调，他的公司已不再仅仅是一家半导体公司。他将英伟达描述为一家大型人工智能基础设施提供商，同时也是算法开发的领导者，尤其在计算机图形学、机器人技术以及计算光刻等领域。

不过，虽然英伟达的业务重心已逐渐从单纯开发计算 GPU 转向 AI 服务器、服务器机架乃至集群，黄仁勋认为，英伟达并不一定与其客户直接竞争。据他所言，英伟达提供的是基础技术，而非为最终用户构建实际的解决方案。