铠侠(原东芝闪存业务)、闪迪(原西数闪存业务)联合宣布,第九代BiCS 9闪存已经开始出样给客户。
BiCS 9的定位介于现有的第八代BiCS 8、未来的第十代BiCS 10之间,不像后者追求尖端技术与性能,堆叠到332层,而是更注重性价比,平衡性能与能效,充分利用成熟工艺和技术,主要面向企业级、AI应用。
未来,BiCS 9/10将会持续并行发展,不存在彼此取代关系。
BiCS 9还采用了混合架构,首先单独制造CMOS控制电路晶圆、NAND闪存阵列晶圆,然后键合在一起,形成单一高性能封装——长江存储就是这么干的。
BiCS 9在第五代BiCS 5(112层)和第八代BiCS 8(218层)的基础上,升级更先进的I/O接口, 尤其是支持Toggle DDR 6.0,因此最高传输速度达到3600MT/s,特殊测试环境下的峰值甚至高达4800MT/s。
对比此前的512GB TLC闪存,BiCS 9仍然有着全面的提升:
写入性能提升最多61%、能效提升最多36%,读取性能提升最多12%、能效提升最多27%,另外存储密度也增加了8%。
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