骁龙835官方新闻稿偷跑 10nm设计、性能比820高27%

　　国际知名电子科技展CES 2017即将于近日举行，近日各大厂商也是动作频频，率先炒热气氛，为自己旗下的新科技产品造势助威。不过高通也许是在宣传过程中对保密工作有所疏忽，原定于1月6日正式公布的骁龙835官方新闻稿竟然在今天被爆料人率先曝光了。新闻稿中透露了骁龙835的规格信息，一起来了解一下。

　　本次进行爆料的是美国知名推主、爆料人Evan Blass，这次他直接奉上了高通关于骁龙835的官方新闻稿。从稿件提供的信息上看，在综合指标方面，骁龙835使用了新的10nm设计，拥有30亿个超高效晶体管，比骁龙820要小20%。而骁龙835的性能比骁龙820/821提升了27%，能耗降低了40%。游戏和VR方面，3D渲染速度比820快了25%，同时多支持60倍的屏幕显示色。

电池续航：

　　骁龙835采用10nm工艺，自主Kryo 280八核心设计，可以提供1天以上的通话时间、5天以上的音乐播放、7小时以上的4K视频，配合QC4.0充电技术，充电5分钟，使用5小时。

沉浸式AR、VR：

　　D渲染速度比820快了25%，同时多支持60倍的屏幕显示色。

　　骁龙835支持场景和物理音源，支持解码DSD原片，动作位移延迟减少20%，6角度追踪。

拍照：

　　通过Hexagon 690 DSP、Spectra 180 ISP和Adreno 540 GPU的配合，拍照更清晰、对焦更迅速。

　　软件算法方面，高通推出了电子防抖3.0、高级4K视频防抖、滚动快门校正、双镜优化等。

连接性：

　　X16 LTE基带可以提供1Gbps的下载速度，支持802.11ad Wi-Fi，得益于10nm，基带模块封装面积缩小了45%，能效提升60%。

　　另外，骁龙835页在安全性、深度学习上做了改善加强，而且它还是首颗支持Win10桌面系统的ARM处理器，相关产品今年晚些时候会亮相，敬请期待。

完整新闻稿：点击阅读（需要梯子）