联发科芯片将逆袭？曝天玑新旗舰采用台积电4nm工艺

8月31日，数码博主@肥威爆料称，联发科下一代天玑旗舰5G SoC的功耗表现很稳，其使用了目前最强的台积电4nm工艺，采用Arm V9架构。

随后，知名爆料人@数码闲聊站转发确认了这一消息。此外，该博主还提到了高通下一代旗舰芯片骁龙898，这块芯片也使用了4nm制程工艺，不过采用的是三星代工，功耗表现如何还未知。

这两年来，联发科芯片进步神速，今年推出的天玑1100和天玑1200芯片的性能已经达到了准旗舰级别，这款采用6nm制程工艺的芯片被国内厂商广泛应用到性价比新机上。照此发展，如果骁龙新旗舰芯片无法解决发热问题，不排除有更多的厂商在明年转向天玑旗舰芯片。

对于联发科芯片冲击高端之路，大家看好吗？