近日,据外媒报道称,三星副总裁Younggwan Ko在研讨会上表示,存储半导体正变得更加强大,封装技术也需要随之一起进行发展,因此三星考虑将MSAP封装工艺应用到DDR6内存的芯片的开发上。他表示,这会帮助三星制造出拥有更加精细电路的芯片。
此前,三星曾推出了24Gbps GDDR6 DRAM芯片,但DDR6的开发还处在早期阶段,根据2021年的一份报告显示,三星的DDR6设计可能会在2024年左右完成。
目前,三星最快的DDR DIMM传输速率为7200Mbps。据悉,DDR6的性能大约会是DDR5的两倍,其内存通道数也是DDR5的两倍。DDR6(JEDEC)可以实现约12800Mbps的传输速率,或者超频17000Mbps的传输速率。
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