8月3日,三星电子在美国圣克拉拉会议中心举行的2022年闪存峰会上宣布,UFS4.0闪存将在本月量产。
根据此前官方公布的消息,三星UFS4.0闪存提供每通道23.2Gbps(2.9GB/s)的速度,是三星上代产品UFS 3.1的两倍。三星表示这款闪存不仅适用于5G智能手机,未来还有望适配智能汽车、AR、VR等产品。
三星此前还透露,凭借第7代V-NAND技术和专有的控制器,UFS4.0将提供4200MB/s的顺序读取速度和2800MB/s的顺序写入速度。作为对比,三星512GB UFS 3.1闪存芯片标称连续读速最高2100MB/s,写速1200MB/s。可见UFS4.0不管是读速还是写速,都较上代迎来巨大提升。
同时,UFS4.0的电源效率也更高,将提供每毫安6.0MB/s的顺序读取速度,比上一代提高了46%。
预计下一代骁龙旗舰手机将支持这款闪存,大家可以期待一下。
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