哈佛大学起诉三星电子侵权 涉及三星多款手机

据外媒报道，哈佛大学本周一向美国德克萨斯州东区地方法院提交起诉书，指控全球最大存储芯片制造商三星电子在微处理器和内存制造领域侵犯了其两项专利。

这两项专利涉及含钴、钨薄膜的沉积方法，分别名为“用于铜互连的氮化钴层及其形成方法”与“氮化钨的气相沉积”，哈佛大学称“这种薄膜对于计算机和手机等众多产品的关键部件至关重要”。

该技术涉及三星S22智能手机、Galaxy Z Flip5折叠屏手机等产品。

三星在生产LPDDR5X等内存时，在未经授权的情况下实践了哈佛大学钨层沉积专利中至少一项权利要求的每个要素。据全球TMT报道，8月6日三星电子宣布其业内最薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM（内存）开始量产。