性能飙升40倍:台积电号称能造1000W功耗巨型芯片！

如今的高端计算芯片越来越庞大，台积电也在通过深入推进CoWoS封装技术来进行应对，据台积电消息，他们目前可以打造面积接近8000平方毫米、功耗1000W级别的巨型芯片，而性能可比标准处理器高出足足40倍。

目前，台积电CoWoS封装芯片的中介层面积最大可以做到2831平方毫米，是其光罩尺寸极限（858平方毫米）的大约3.3倍，台积电所使用的是830平方毫米。NVIDIA B200、AMD MI300X等芯片，用的都是这种封装，将大型计算模块和多个HBM内存芯片整合在一起。

明年或稍晚些时候，台积电会推出下一代CoWoS-L封装技术，中介层面积可以做到4719平方毫米，是光罩极限的大约5.5倍，同时需要10000平方毫米(100x100毫米)的大型基板。它可以整合最多12颗HBM内存，包括下一代HBM4。

此外，台积电还计划进一步将中介层做到7885平方毫米，也就是光照极限的约9.5倍，并需要18000平方毫米的基板，从而封装最多4颗计算芯片、12颗HBM内存，以及其他IP。这已经超过了一个标准的CD光盘盒(一般142×125毫米)

而台积电还在继续研究SoW-X晶圆级封装技术，目前只有Cerabras、特斯拉使用。如此巨型芯片除了需要复杂的封装技术，更会带来高功耗、高发热的挑战，台积电预计能达到1000W级别。

为此，台积电计划在CoWoS-L封装内的RDL中介层上，直接集成一整颗电源管理IC，从而缩短供电距离，减少有源IC数量，降低寄生电阻，改进系统级供电效率。这颗电源管理IC会使用台积电N16工艺、TSV硅通孔技术制造。

散热方面，直触式液冷、浸没式液冷，都是必须要考虑的。另外，OAM 2.0模块形态的尺寸为102×165毫米，100×100毫米基板已经接近极限，120×150毫米就超过了，因此需要行业同步制定新的OAM形态标准。