据快科技消息,前段时间世界上就有一种“特殊”5nm的消息传出。这种5nm采用了完全不一样的技术路线,避开了EUV光刻机的依赖,采用一种步进扫描光刻机,通过多重曝光实现5nm线宽。
那没有EUV光刻机,3nm有戏吗?
最新报道指出,某5nm品牌最近已经打算推出3nm工艺制程技术的AP(应用处理器),目标是在2025年问世。
该芯片采用全环绕栅极(Gate-All-Around,GAA)技术能有效降低电流泄漏并提升性能,是台积电、三星等在先进制程上采用的关键技术。
只是,这项计划却面临显著的挑战。 市场普遍质疑,到底能不能行。
之前,他们就是采用了通过使用深紫外光(DUV)曝光机的多次曝光,来达成5nm制程的量产。
市场认为,在3nm米制程上也可能采取类似的方法。 然而,相较于EUV,采用DUV的多次曝光方式会显著增加制程步骤,这不可避免地会导致良率和生产效率的下降。
所以,未来的问题的核心,就看自己能不能搞定EUV光刻机了。
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