存储:DDR4初露锋芒,1xnm闪存即将登场
相比前面的几大件,存储产品令人期待的东西并不多,但也不乏新气象。首先来看内存,今年Intel会在Haswell-E处理器上支持DDR4内存,这对内存厂商是个极大的利好,美光、三星、SK Hynix也加快了内存芯片的量产速度,虽然初期都是面向服务器市场的,不过厂商倒是可以借Cpmputex这个大舞台给玩家来一次DDR4“头脑风暴”,下半年的顶级平台非Haswell-E+X99平台+DDR4莫属了。
硬盘方面,HDD容量奔着5TB、6TB去了,未来一年内还可能走向8/10TB,不过这些产品还是偏向企业级市场,光是价格就让人忍不了了,我们还是期待SSD能更先进一些吧。
主流的SSD闪存制程停留在20nm节点上已经一年了,今年会进入1xnm阶段,这里说的1xnm其实不包括三星、东芝的19nm制程,他们还是被认为20nm一代,这里说的是15、16nm,东芝、闪迪的新工艺是15nm,美光的新工艺是16nm,下个月发布的MX100系列就会使用16nm NAND闪存。
除了制程工艺之外,今年的NAND市场可能还会迎来更多TLC闪存,目前只有三星在SSD中大规模使用了TLC闪存,美光准备在16nm节点上量产TLC闪存,不过TLC闪存的问题是好做不好说,先天性的P/E寿命是消费者绕不过去的坎儿,虽然理论上使用几年依然没问题,不过消费观念是件很头疼的事,想让大家放心就得拿出足够的说服力,或者拿出足够的吸引力,而这必须有其一。