三星今天在首尔召开“2014三星固态硬盘全球峰会”,在会上发布了新的850 Pro系列SSD,该系列SSD的最大特色就是使用了3D V-NAND闪存,三星对于闪存的使用还是相当大胆的,去年推出了首款使用TLC闪存的840系列,而现在的850 Pro则是首款采用3D V-NAND技术的SSD。
三星850 Pro并没有采用最新的M.2或者SATA-E接口,继续使用SATA 6Gbps接口,共有128、256、512和1TB四个容量,最大连续读写速度为550/520 MB/s,4K随机读写IOPS分别为100,000/90,000,采用三星第二代86Gbit 40nm MLC V-NAND,将与7月中旬正式上市,不同容量的具体性能请看下表:
现在已经有多个外国媒体对850 Pro进行了评测,我们现在翻译的这个是来自Hardware.info的,另外关于3D V-NAND我们之前有专门的文章对其进行了介绍,简单来说就是不通过传统的缩小cell单元来最求大容量,而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元来提升容量,有兴趣了解详情的朋友可以去看看这个《NAND新时代起点,三星V-NAND技术详解》。