金士顿V300 SSD让未来来得再快些

　　2016世界移动通信大会MWC已经在西班牙巴塞罗落下帷幕，今年最受追捧的莫过于VR与5G技术，5G是比更快还快的传输技术。当FacebookCEO扎克伯格从一群带着三星GearVR眼镜的人群旁边走过时，人们竟然毫无察觉，仍然只顾着自己的虚拟世界。这让人们不得不联想到“黑客帝国”的设想，未来真的已经到来。作为基础设施，电脑如何承载起如此快速的科技传输？其实，金士顿SSD价格，早已下调到玩家能够承受的价位，这个价位足以支撑起这些科技体验。唯一期盼的是，让未来来得再快些！不信的话，来看看金士顿SSDNowV300吧。

比传统硬盘快10倍

　　相信不少朋友对SandForce®SF-2281主控都已经有所了解，它最大的特点在于一个极为关键的核心技术：DuraWrite技术，采用了实时压缩和重复的数据算法，从而减小了操作系统传输给控制器的数据大小。特别是在持续高负载的游戏环境当中，DuraWrite数据压缩机制的优势可以获得充分的发挥，不仅性能得到提高同时被压缩过的文件保存在SSD当中的数据量也比实际要少，速度相应都会提升。

　　金士顿SSDNowV300采用9纳米的NAND闪存、SATA 6Gbps接口和SandForce®控制器接口，比传统7200RPM硬盘快10倍，连续读取速度可达450M/s，顺序写入速度最高也能达到450M/s，而最大随机4K读取/写入方面也达到了85k和55kIOPS。

高擦写寿命

　　金士顿SSDNowV300采用高品质MLC闪存芯片，最大程度保障SSD产品的优良性能，为用户提供长久可靠的使用体验。目前市面上消费级固态硬盘所采用的闪存芯片主要有MLC和TLC两种，表面上虽只有一个字母之差，但性能差异可不止差那么一点。

　　MLC有4种存储状态，分别是00、01、10、11，而TLC有8种存储状态，分别是000、001、010、100、011、101、110、111。由于在写入数据时TLC要检测到8个电压状态，随机写入速度将会更耗时：TLC闪存将耗时100μs。而MLC闪存只需其一半的时间就完成了任务，写入性能理论上比TLC快一倍。除了性能表现处于劣势之外，TLC闪存耐用性也很差。MLC一个浮动栅存储2个bit的信息，一般擦写寿命都达到3K。而TLC一个浮动栅存储3个bit的信息，只有约500-1000次擦写寿命。