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Intel优化Broadwell-E内存控制器

　　按照Intel的Tick-Tock战略，Broadwell-E应该是仅采用新制程，也就是14nm工艺的一代产品，其内部架构应该不会有太大的变动，仅会在部分细节上加以完善，而真正的大变动，自然要等到Broadwell-E的继任者，也就是Skylake-E了。

　　虽然Broadwell-E只会在Haswell-E的基础上针对架构的细节进行小修小补，但这些所谓的“小修小补”中，似乎存在一个对于追求“极致”的用户具有重大意义的改变——比如内存控制器方面的优化。

　　自Sandy Bridge-E处理器带来对四通道内存支持至今，对于四通道内存性能的诟病似乎不绝于耳，即便在对四通道内存支持已经相当优秀的Haswell-E上，所表现出来的性能，依旧不能让发烧友们感到满意，即便是用i7-5960X搭配四通道DDR4内存，使其读取、拷贝性能明显优于支持双通道内存的i7-6700K，但这样的更高端组合，带来的内存写入性能，却并没有比i7-6700K搭配同频率双通道DDR4内存高太多，按照笔者的经验内存写入速度提升幅度大概不到18%。

　　为了让花费大笔银子购买Broadwell-E处理器+X99主板的用户感到“物有所值”，Intel似乎对Broadwell-E的内存控制器进行了优化，不仅弥补了之前Haswell-E搭配四通道DDR4内存在写入速度方面的短板，还进一步提升了DDR4内存的整体性能，具体测试结果请各位移步本文的内存性能测试环节。

　　至于Intel是如何优化Broadwell-E处理器的内存控制器的，笔者就不敢妄加猜测了，因为Intel并未提供Broadwell-E架构的白皮书，具体优化细节自然无从知晓。而关于Broadwell-E相对Haswell-E的更多改进，也需等待Intel放出相关内容了......