革新！二通道主控成主流

　　SSD的主要构成部分是由主控芯片和NAND闪存组成，所以不少人将SSD性能指标放在主控的区分上，其实这是错误的。其实一个SSD使用的固件与闪存种类都是对其性能有相当大影响的。

　　目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，他们的接口和产品之间的规格是不同的。

　　2007年1月，以英特尔，镁光，海力士，意法半导体，力晶为首的NAND闪存厂商和控制芯片开发商台湾群联电子以及产品厂商索尼等宣布统一制定连接NAND闪存和控制芯片的接口标准“ONFI 1.0”。将传统的Legacy接口每通道传输带宽40MB/s提升到50MB/s，直到2011年3月，ONFI 3.0宣布了，提升接口带宽到400MB/s，降低CE针脚需求来提升PCB的布局能力。

　　Toggle DDR Mode标准源自三星和东芝于2010年6月联合制定的全新NAND闪存接口标准。这里所谓的“DDR”其实和DDR内存的道理是一样的，利用DQS信号的上升沿和下降沿都进行一次数据的传输，速度自然翻倍。目前东芝Toggle DDR Mode 1.0的标准其接口每通道带宽可以达到133MB/s，而最新的Toggle 2.0标准和ONFI 3.0一样可以达到400MB/s的接口带宽。

　　早期的主控芯片通道数都是8通道，有的甚至达到10通道，与当时的NAND闪存技术落后有着密不可分的原因。当时的NAND闪存有很大一部分是异步的Flash(Async)，带宽只有50Mbps且Flash的page size一般只有4KB，8KB，只有8通道的主控才能发挥SSD在SATA III接口下的最强效能。但是随着NAND闪存技术进一步成熟，各主控厂商开始设计4通道的主控，Flash带宽也持续提升，现在SSD主流接口以SATA 3.0为主，理论传输速度为600MB/S。那么使用最新的Toggle 2.0标准的闪存在双通道的主控下就能达到800MB/s，当然这只是理论值，实际传输速度还要受到主控性能和各种延迟的影响，但是完全能够轻易的胜任以前四通道主控才能做到的工作。