突破MLC神话 金士顿UV400固态硬盘写入超越3000PE

UV400耐久测试 数据震惊评测室

　　PCEVA论坛对金士顿UV400的耐久度测试中，以8MB区块持续写入数据的方式进行，以TLC闪存写入量除以颗粒RAW容量获得闪存平均擦写次数。对于TLC固态硬盘来说，所有新写入的数据都会首先进入SLC Cache当中，并在整理归并后释放到TLC闪存当中，以此提高写入性能并降低写入放大率。同时，如果在SLC Cache中的数据尚未释放之前就被删除，这部分数据将不会写入到TLC闪存，从而节省不必要的闪存磨损，在耐久度测试当中每当写满SSD之后就需要删除全部文件重新开始，所以我们能够看到，UV400的TLC NAND写入量略小于SLC NAND写入量。

　　除了持续写入之外，PCEVA论坛还分阶段进行90度高温下连续24小时烘烤测试。

　　我们知道，闪存是利用保存在浮栅（Floating Gate，简称FG）中的电子来保存数据的，在高温条件下FG中的电子将比常温下更快地逃逸，当逃逸的电子数量达到一定程度就会导致存储的数据出错。通过高温烘烤可以在较短时间内等效考察常温条件下长时间断电后数据保存的情况。按照业界规范，消费级固态硬盘应当能够在30度条件下断电一年时间依旧保持存储数据的正确无误。

　　金士顿UV400 240G在3100次闪存擦写的高磨损状态下，经过90摄氏度连续24小时高温烘烤，再经MD5校验软件检测，盘上全部数据完整无误！