伺候了Haswell-E和Broadwell-E两代处理器之后,在Intel发烧级平台扛了三年的X99主板终于退役,继任者X299芯片组的到来伴随着整个CPU产品线的重塑,无论你原本是否属于HEDT平台的用户,都有必要通过此文来了解它们新的规格与特性。
Intel在22nm工艺下率先采用了3D-Tri Gate晶体管架构,它使用一个超薄的三维硅片取代了传统二维晶体管上的平面栅极,晶体管可以更加紧密地排列在一起,大幅提高了密度。具体晦涩的技术原理这里不赘述,总之这样可以使同样电压下获得37%的性能提升。反过来,相同性能下功耗可以下降50%。
然而有得即有失,多了一个维度的晶体管通过激光蚀刻成型难度也成几何级增加。当Intel将3D-Tri Gate架构应用到14nm工艺时,晶体管栅极间距缩小到70nm,这个缩减与32nm到22nm的缩减幅度不相上下,导致晶体管漏电率大幅上升,晶圆良率下降。具体表现在CPU上的特征就是高频率稳定性差,发热畸高,用过第六代与第七代i7的玩家一定深有体会。
X299芯片组PCH的规格与X99相比几乎没什么变化,后者可视作体质改良版
制程的进步必须建立在上一代工艺成熟的技术上,原路线图中的10nm工艺被迫延期,Intel临时增加了一代继续采用14nm工艺的Kabylake内核,通过三代CPU产品来完善14nm。
庆幸的是,在经历好一番折腾之后,X299平台终于为我们送来了14nm的完全体:Skylake-X。