国产Longsys DDR5内存发布 多项实测数据首次公开

增加16n的预取模式

BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍，信号能够更完整高效地传递。本次DDR5 DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道，提高了并发性，并使系统中可用的内存通道增加了一倍。

端到端的接收模式的强化

在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能，增加CA、CS类信号也使用了ODT。因此，Longsys DDR5内存进一步减少了信号脉冲的反射干扰效应，让信号传输更加纯净。

DDR5 Bank Group 翻倍

DDR5内存使Bank Group的数量增加了一倍，并且每个Group的Bank数量保持不变。Longsys DDR5 BG提供更少的访问延迟，加倍提高了系统的整体效率，允许更多页面同时被打开。

SAME-BANK Refresh刷新模式

Longsys DDR5根据标准还实现了一个新特性，称为SAME-BANK Refresh（同步刷新）。此命令允许刷新每个BG中的一个Bank，使所有其他Banks保持打开状态以继续正常操作。

未来的应用场景不断革新和进步，对存储技术提出了更严苛的要求，亦大大加速了DDR5发展进程，各大主流平台对于DDR5的支持也推进迅速。

据悉，Intel方面预计今年第三季度就有支持DDR5的平台上市。而驱动DRAM内存市场向DDR5升级的动力来自对带宽有强烈需求的专业应用领域，比如服务器、云计算、数据中心、高性能计算机等应用领域均有望得到重点部署，此次迭代也为行业客户提供了更出色的内存解决方案。

截止2021年3月12日，Longsys申请专利总数达到838个，其中境外专利申请178项；已授权且维持有效专利411项、其中境外授权且维持有效专利83项；软件著作权65项。

据悉，今年Longsys内存产品线仍将精益求精，持续提供更多的DDR5产品规格和技术服务。