6月30日,三星宣布已开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产3nm半导体芯片,性能较5nm芯片更强,功耗更低。
据悉,三星3nm芯片采用的GAA(Gate All Around)晶体管架构,通过降低电源电压和增强驱动电流能力来获得更高的功率效率。三星还在芯片中使用纳米片晶体管,而通过调整纳米片的宽度,三星的客户可以根据自己的需要定制功耗和性能。
另外,与5nm芯片相比,三星表示新芯片的性能提高了23%,功耗降低了45%,面积减少了16%。第二代3nm芯片将提供50%的功率效率提升、30%的性能提升和35%的面积减少。
目前,三星还未公布哪家厂商将首发3nm芯片。
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