HMC（混合内存立方体）内存是美光联合IBM以及三星等产业巨头共同开发的新一代超高速内存技术，它使用TSV（硅穿孔）技术堆叠多层DRAM芯片，从而达到提升内存速度以及密度的双重目的。据称HCM内存的带宽能够达到DDR3标准的15倍，同时功耗缺能够降低70%，占用空间则减少了90%。